Il primo vero ostacolo per qualsiasi prodotto basato su materiali semiconduttori sono i costi. 3D XPoint si avvale di più di 100 nuovi materiali e – presumiamo – di una nuova catena produttiva. Macchinari nuovi richiedono investimenti rilevanti, il che significa che la tecnologia affidarsi a molti dei processi, trucchi e conoscenze già acquisiti, come fanno NAND e DRAM.

Inoltre una scala produttiva riduce il costo, ma per costruire tale scala è necessario avere un costo ridotto. Intel e Micron si trovano "tra l'incudine e il martello". Micron non sia aspetta di fare soldi nei primi anni in quanto (giustamente) si concentrerà sul costruire l'ecosistema e la scala produttiva. Intel è sulla stessa barca.

Come sempre la scala dovrebbe arrivare grazie al mercato client, mentre il profitto dal segmento enterprise. I produttori di NAND permettono ai prezzi di scendere consegnando in massa memorie per smartphone, settore desktop e altri prodotti come le chiavette USB. Non è un metodo attuabile con 3D XPoint, ma il mercato client rappresenterà comunque una parte importante della strategia di Intel.

La NAND ha impiegato 20 anni per trovare ampia adozione, vedendo ridursi il suo prezzo nel corso del tempo di 50.000 volte. Le proiezioni di Intel dicono che il prezzo delle NAND scenderà a 0,10 dollari per gigabyte entro il 2020. Nuovi usi della NAND come memoria stanno già proliferando, e questo insieme al basso prezzo ci fa pensare che la NAND potrebbe rallentare l'adozione di 3D XPoint. WD ritiene che la memoria NAND avrà vita ancora molto lunga. L'assenza di una scala produttiva e le spese in conto capitale elevatissime legate alla produzione sono i principali colpevoli. Pensate che costruire una fabbrica di 3D NAND costa circa 8 miliardi – e stiamo parlando di una tecnologia matura realizzata con macchinari standard.

L'impianto di Shanghai di WD realizza 2 milioni di chip NAND flash al giorno. A questo dato si sommano gli altri impianti di WD e il resto della produzione industriale. È altamente improbabile che 3D XPoint riesca ad arrivare a livelli produttivi simili in un lasso di tempo piuttosto ridotto perché la produzione è limitata a IMFT. Insomma, 3D XPoint potrebbe costare molto, e per tanto tempo.

In una presentazione del 2012 Samsung affermava che le architetture 3D crosspoint non sono scalabili in modo efficace per quanto riguarda i costi sul lungo termine. I macchinari litografici e la necessità di passare a EUV per processi avanzati rappresentano barriere significative, insieme al numero di passaggi litografici. Anche SanDisk è della stessa opinione di Samsung – e parla per esperienza, dato che ha venduto architetture crosspoint a più layer in volumi in passato.

IMFT potrebbe avere la chiave per risolvere le sfide produttive, ma è evidente che altri pesi massimi del settore sono piuttosto scettici.

La concorrenza

Ci sono diversi nuovi tipi di memoria che sgomitano per una posizione nel nuovo modo delle memorie persistenti, e l'industria ha iniziato a chiamarle Storage Class Memory (SCM).

Un sacco di acronimi salutano chiunque voglia forgiare il futuro della memoria, ma ognuno ha i suoi vantaggi e svantaggi. I contendenti sono ReRAM, STT-RAM, PCM, memristori, MRAM, CBRAM, NRAM e FeRAM – tra gli altri. L'obiettivo è quasi sempre lo stesso: colmare il divario tra l'archiviazione e la memoria con una memoria permanente.

	Memristor	PCM	STT-RAM	ReRAM	DRAM	Flash	HDD
Tempo di lettura (ns)		20-70	10-30	10	10-50	25,000	5-8×106
Tempo di scrittura (ns)	20-30	50-500	13-95	1-100	10-50	200,000	5-8×106
Resistenza (cicli)	1 trilione	10 – 100 milioni	1015	1010-1012	>1017	500-106	1015
Conser- vazione (senza energia)	>10 anni		Settimane	Mesi		~10 anni	~10 anni
Energia Per Bit (pj)2	0.1-3	2-100	0.1-1	?	2-4	101-1014	106-107
Area Per Bit (F2)	4	8-16	14-64	?	6-8	4-8	n/a

Non abbiamo sufficienti informazioni per inserire 3D XPoint nel grafico qui sopra, anche se si vocifera si tratti di PCM.