Freescale annuncia la disponibilità dei chip di memoria MRAM (Memorie Ad Accesso Casuale Magneto-Resistive) da 4Mbit e con un tempo di accesso di 35 ns. Questo tipo di memorie flash non volatili si basano sul principio dell’immagazzinamento di dati con elementi magnetici installati su un substrato di silicio. I punti di forza delle memorie MRAM si racchiudono nella pressoché infinita quantità di cicli di scrittura (Flash si ferma tra i 100000 e il milione di cicli) e velocità di accesso e scrittura incredibilmente alte.

MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory – Memorie Ad Accesso Casuale Magneto-Resistive)

Sia Freescale che Infineon credono che MRAM abbia tutte le carte in regola per sostituire Flash, e persino DRAM/SRAM in futuro. Potrà veramente trattarsi di una “memoria dagli utilizzi universali”?

Maggiori dettagli

Articoli correlati:

Il futuro delle memorie Flash