Ieri, GlobalFoundries ha annunciato l’avvio della produzione della sua memoria non volatile magnetoresistiva (eMRAM), sulla sua piattaforma da 22nm nota come 22FDX.

I chip eMRAM sostituiranno la vecchia flash NOR, un tipo di memoria flash incorporata in molti dispositivi, offrendo migliori prestazioni, affidabilità e consumo energetico.

eMRAM è progettata per l’intelligenza artificiale (AI), le auto a guida autonoma e ad altri nuovi usi del microcontroller. GlobalFoundries non ha nominato prodotti specifici che avrebbero sfruttato la sua eMRAM ma ha affermato che “sta lavorando con diversi clienti e su più tipologie di prodotti”.

Si dice che la nuova eMRAM sia estremamente resistente con una conservazione dei dati fino a 10 anni con dispositivi mantenuti a temperature comprese tra -40 ° C e 125 ° C e una durata di 100.000 cicli.

Questi sono dati significativamente più alti di quelli offerti dalla memoria NAND negli SSD odierni, tuttavia la eMRAM non è stata progettata per competere con le memorie NAND.

Gli aumenti della velocità di scrittura sono dovuti principalmente alla magnetoresistenza. La scrittura sul materiale di archiviazione non richiede un ciclo di cancellazione prima dell’operazione, pertanto la velocità aumenta drasticamente. Le capacità vanno da 4 a 48 Mb e saranno disponibili come drop-in kit per i partner.

Mike Hogan, vicepresidente senior e direttore generale dell’Automotive e Industrial Multi-market presso GlobalFoundries, ha rilasciato la seguente dichiarazione: “Continuiamo il nostro impegno a differenziare la nostra piattaforma FDX con soluzioni ad alta resistenza e ricche di funzionalità che consentano ai nostri clienti di costruire prodotti innovativi per applicazioni ad alte prestazioni e bassa potenza. La nostra eMRAM differenziata, implementata sulla piattaforma FDX più avanzata del settore, offre una combinazione unica di RF ad alte prestazioni, logica a bassa potenza e gestione dell’alimentazione integrata in una soluzione eMRAM facile da integrare che consente ai nostri clienti di offrire una nuova generazione di ultra -low MCU di potenza e applicazioni IoT connesse”.

GlobalFoundries non è l’unica parte a lavorare sulle memorie eMRAM. Samsung ha iniziato la produzione di massa di eMRAM circa un anno fa, ma su una piattaforma a 28nm, mentre Intel sta lavorando su una tecnologia leggermente diversa chiamata SST-MRAM.

La consegna dei nuovi chip comincerà quest’anno, mentre la produzione dell’eMRAM con tecnologia 22FDX avrà luogo presso la Fab 1 di Dresda, in Germania.

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