Nuovi materiali e transistor a canale P ed N, potrebbero permettere la realizzazione di processori in grado di consumare un decimo dei chip attuali.

Intel, nelle scorse settimane, ha svelato i progressi raggiunti nello studio dei transistor a canale P, realizzati su un substrato di silicio che fa uso di semiconduttori composti, conosciuti anche come materiali III-V. Questa ricerca dovrebbe portare alla realizzazione di transistor a canale P in grado di comportarsi meglio delle soluzioni attuali. L'anno scorso, Intel aveva parlato di transistor a canale N, anch'essi realizzati su un substrato di silicio.

Quando combinati, questi due transistor potrebbero formare i blocchi di origine per circuiti logici CMOS, che usano sia transistor a canale P sia a canale N. Potenzialmente impiegabili nei microprocessori futuri, queste soluzioni lavorano producendo molto meno calore, richiedono circa il 50% della tensione dei transistor attuali e consumano solo un decimo dell'energia.

Se questi nuovi transistor verranno usati nella produzione di massa di microprocessori, in futuro potremo avere chip più piccoli ed efficienti che saranno più potenti degli attuali o incredibilmente più complessi, ma comunque in grado di consumare la stessa energia se non inferiore. Ovviamente, i nuovi materiali potrebbero essere utili anche per i core grafici, nei chipset e in altri dispositivi altamente integrati.