Intel e Micron Technology hanno annunciato la creazione di una nuova memoria flash NAND 3bpc a 25 nm. La sigla “3bpc” sta per “3-bit-per-cell”, cioè è possibile archiviare tre bit per cella, un miglioramento rispetto al classico bit singolo per cella (single-level-cell) o due bit nel caso della memoria multi-level-cell.

Intel, nuova memoria 3bpc a 25 nm.

La nuova memoria è in grado di archiviare informazioni fino a 8 Gigabyte per chip (64 Gb). La dimensione fisica del die occupa 131 mm2, ed è disponibile nel classico package industriale TSOP.

Tecnologia di memorizzazione e processo produttivo hanno permesso di creare un prodotto dal costo contenuto (rispetto alla capacità d’archiviazione) e molto piccolo (riduzione d’ingombro del 20%), cioè implica la possibilità di migliorare la capienza di memoria dei dispositivi, anche i più piccoli, come schede SD o PenDrive, senza impattare molto sul costo finale. Entro la fine dell’anno la produzione raggiungerà il pieno regime.