Toshiba e SanDisk hanno annunciato di aver realizzato la prima memoria NAND Flash di tipo MLC (2 bit per cella) realizzata con processo produttivo a 15 nanometri. Si tratta di un chip a 128 gigabit (16 gigabyte) la cui produzione di massa inizierà alla fine di aprile in Giappone, presso la Fab 5 Yokkaichi Operations che fa parte della joint venture Flash Forward creata dalle due aziende.

Le nuove soluzioni a 15 nanometri rimpiazzeranno le soluzioni realizzate a 19 nanometri che attualmente troviamo in moltissimi prodotti, dalle schede microSD ai più complessi SSD. "I nuovi chip raggiungono la stessa velocità in scrittura delle precedenti proposte realizzate con il processo a 19 nm di seconda generazione, ma la velocità di trasferimento cresce di 1,3 volte, toccando i 553 megabit al secondo grazie all'uso di un'interfaccia ad alta velocità".

Le due aziende puntano a produrre anche memorie NAND Flash di tipo TLC (3 bit per cella) il più presto possibile. Se tutto andrà bene la produzione di massa inizierà entro giugno. Toshiba e SanDisk fanno sapere che svilupperanno controller e introdurranno "prodotti con 3 bit per cella destinati a smartphone e tablet" e successivamente estenderanno questi chip di memoria "ai notebook, sviluppando un controller adeguato agli SSD".

Tra le fine dell'anno e l'inizio del 2015 dovremmo iniziare a vedere i primi SSD con chip a 15 nanometri. In pole position ovviamente troviamo OCZ Storage Solutions, azienda nata dopo l'acquisizione della divisione SSD di OCZ da parte di Toshiba. Anche SanDisk è molto attiva in questo mercato, non solo sul fronte OEM ma anche su quello consumer come dimostrano i buonissimi prodotti realizzati negli scorsi mesi, dalla linea Extreme II fino agli Ultra Plus per arrivare all'avanzato SanDisk A110.