Micron Technology sta lavorando sulle memorie ibride, soluzioni in cui risiedono sia chip di memoria DRAM che chip NAND Flash. Secondo l'azienda statunitense questa soluzione, che chiama NVDIMM (o Hybrid DIMM), combinerà la velocità della DRAM con la "non volatilità" (capacità di mantenere le informazioni senza alimentazione) della NAND Flash.

"Le NVDIMM permettono di salvare i contenuti nella DRAM all'interno della memoria NAND Flash in base a un segnale del sistema. Questo potrebbe indicare un problema di alimentazione o qualsiasi altro evento […], come i checkpoint di sistema, il data logging, il salvataggio dei metadati, etc".

Le NVDIMM sono viste come un prodotto per server enterprise e applicazioni di archiviazione, probabilmente pensato all'inizio con lo scopo di coadiuvare gli SSD, per poi magari diventarne anche un concorrente. "Sono una soluzione azzeccata per ambienti che hanno bisogno di una persistente capacità DRAM per accedere frequentemente a grandi dati", ha dichiarato l'azienda.

Micron ha mostrato la prima versione della NVDIMM all'SC12 e si trattava di una RDIMM da 4 GB affiancata da 8 GB di memoria Flash. (Maggiori informazioni in questa pagina). Secondo quanto riporta EETimes, questa nuova memoria sarà pronta in circa 18 mesi e la DRAM potrebbe essere già di tipo DDR4. "L'azienda crede che Microsoft Windows sarà compatibile con le cosiddette Hybrid DIMM che potranno avere più di 256 GB di memoria".

Per le NVDIMM si parla di tempi di accesso di nanosecondi anziché microsecondi, anche se i costi complessivi dovrebbero essere superiori a quelli di un SSD. "Questa memoria usa un controller speciale come principale interfaccia. Ha anche un controller flash separato. Il supporto di Windows è il passaggio chiave per la diffusione delle Hybrid DIMM. Microsoft finora non ha rilasciato dichiarazioni sui propri piani, ma negli ultimi sei mesi ha avuto e chiesto numerosi incontri con Micron per discutere della tecnologia".

E se il supporto di Microsoft sembra quindi cosa fatta, Micron sta lavorando per far sì che la tecnologia di memoria sia supportata sotto Linux. Inoltre EETimes indica che anche Samsung sembra interessata alle NVDIMM. L'azienda statunitense sta però mandando avanti anche altri progetti, ed è di queste ore l'annuncio di un interessante sviluppo nel mondo della memoria DRAM.

Micron Technology e TE Connectivity (TE) hanno annunciato la disponibilità di memoria DDR3 SODIMM a singolo lato e basso profilo, oltre a un connettore dedicato per rispondere alle necessità di spessore di Ultrabook, dispositivi convertibili, tablet e altre soluzioni sottili e leggere.

Lo scopo è quello di offrire memorie con altezza ridotta per contenere sempre di più lo spessore dei dispositivi. Nel concreto Micron ha sviluppato una memoria SODIMM che ha componenti sul lato frontale oppure quello posteriore, ma mai su entrambi i lati. Quando questa memoria è accoppiata al connettore sviluppato da TE, l'altezza complessiva è di 2,6 millimetri, il 35% in meno rispetto ai 4 millimetri di una classica SODIMM.

Attualmente la SODIMM a singolo lato è disponibile in configurazione 4 GB composta da otto chip di memoria. Questo tipo di memoria sfrutta inoltre chip DDR3L-RS realizzati a 30 nanometri, che consumano meno energia in standby rispetto alle classiche DDR3. D'altronde RS sta proprio per "Reduced Standby" e la tensione operativa è di 1,35 volt. Le SO-DIMM a singolo lato sono compatibili pin-to-pin con gli attuali moduli DDR3, il che le rende retrocompabili con i connettori delle SODIMM DDR3 esistenti.

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Gli ingegneri di TE Connectivity hanno progettato il loro connettore per far sì non solo che fosse meno "spesso" dei precedenti, ma anche per ridurre la zona d'ombra della scheda madre di circa 156 mm2, o 312 mm2 in una comune implementazione dual-socket. I campioni della memoria SODIMM a singolo lato sono disponibili da ora, ma la produzione in volumi è attesa per la primavera. Per quanto riguarda i connettori, anche in questo caso sono già disponibiie i sample, ma la produzione sarà avviata a giugno.