Micron, noto produttore di memorie che ha recentemente collaborato con Nvidia per la produzione delle esclusive VRAM GDDR6X installate a bordo delle schede video Ampere, ha annunciato di aver raggiunto la produzione di massa delle memorie DRAM realizzate con tecnologia 1α. Di cosa si tratta?

Il nodo di produzione DRAM di Micron ha raggiunto lo stato 1-alpha, migliorando densità di bit, prestazioni e performance delle memorie utilizzate nei data center, nei dispositivi mobili e nei veicoli smart.

Confrontata con la generazione di memoria precedente identificata con il codice 1Z, la nuova famiglia di DRAM Micron promette un incremento del 40% nella densità di memoria. Secondo l’azienda, i dispositivi mobili che utilizzeranno questo tipo di memorie potranno contare su un risparmio energetico del 15% più elevato.

Il produttore di chip sta gradualmente migliorando il proprio processo produttivo seguendo questi step graduali che lo porteranno ad abbandonare i vecchi nodi a 20nm, non più considerati mainstream, verso i più attuali 10nm:

• 1Xnm – (c19-17nm) processo produttivo delle vecchie DRAM
• 1Ynm – (c16-14nm) produzione mainstream di memorie DRAM ad oggi
• 1Znm – (c13-11mn) 15% della produzione di DRAM Micron nel Q3 2020
• 1αnm – 1 alpha – produzione in grossi volumi nella prima metà del 2021
• 1βnm – 1 beta – in fase di sviluppo iniziale
• 1ɣnm – 1 gamma – in fase iniziale di integrazione del processo
• 1δnm – 1 delta – in sviluppo, potrebbe richiedere tecnologia EUV

Come spiegano i colleghi di Guru3D, per le DRAM in particolare, il nome del nodo corrisponde di solito alla dimensione della metà del passo (il cosiddetto half-pitch) dell’area attiva nell’array di celle di memoria. 1α è la quarta generazione di memorie a 10nm, il cui half-pitch può variare tra 10nm e 19nm. Spostandosi da 1X verso 1δ, questa dimensione è stata, e verrà ancora, ridotta.

Il processo produttivo 1α per le DRAM di Micron faciliterà soluzioni di memoria più efficienti e affidabili, fornendo velocità operative LPDDR5 più elevate per le piattaforme mobile che richiedono le migliori prestazioni LPDRAM della categoria.

“La nostra nuova tecnologia 1α DRAM consentirà la produzione delle DRAM mobile a più basso consumo del settore, oltre a portare i vantaggi del nostro portafoglio DRAM ai clienti data center, consumatori, industrie e settore automobilistico“, ha dichiarato Sumit Sadana, executive vice president e chief business officer di Micron. “Con la nostra leadership industriale sia nella tecnologia DRAM che NAND, Micron è in una posizione eccellente per sfruttare la crescita della memoria e dello storage, che dovrebbero essere i segmenti in più rapida crescita nell’industria dei semiconduttori nel prossimo decennio“.

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