Si accende la battaglia nel settore della produzione di NAND flash. Dopo l’annuncio di Intel e Micron riguardante la produzione di memorie a 25 nanometri, Hynix e Samsung hanno svelato le loro mosse.

Hynix Semiconductor ha iniziato a usare il processo produttivo a 26 nanometri su dispositivi con capacità di 64 Gbit. La produzione in volumi inizierà nel terzo trimestre. Samsung, dal canto suo, avvierà la produzione in volumi a 27 nanometri nel secondo trimestre.

“Il nuovo chip ci permetterà di raddoppiare la produttività rispetto ai prodotti a 30 nanometri riducendo drasticamente i costi”, ha affermato Hynix.

Per il consumatore ci sono molteplici vantaggi. Le unità Solid State Drive faranno un balzo in avanti per quanto riguarda il rapporto capacità / prezzo, mentre i consumi potrebbero raggiungere livelli davvero ridotti.