Prima di partire con la nostra suite di test standard diamo uno sguardo alle scritture sequenziali native della memoria TLC a 16 nanometri di Micron. Questo test usa blocchi da 64 KB lungo l'intero intervallo LBA. A sinistra vediamo le prestazioni del buffer SLC emulato. Questo dovrebbe darvi un'idea di quanto piccola sia quest'area riservata su un'unità vuota. Non appena uscite da quest'area le prestazioni della memoria TLC ne risentono.

La NAND TLC del BX200 da 480 GB scrive a poco più di 64 MB/s. Il BX200 da 960 GB si comporta in modo identico. Non si tratta della prestazione in scrittura sequenziale in stato di equilibrio, ma solo di quella fuori dal buffer.

Per confrontare questi risultati con altre architetture basate su memoria TLC, sappiate che il Samsung 850 EVO da 500 GB raggiunge i 445 MB/s, la TLC a 16 nanometri di SK Hynix tocca i 96 MB/s con lo stesso controller SMI SM2256 e la memoria Toshiba A19 (anch'essa accoppiata a un SM2256) arriva a 81 MB/s. Il nostro risultato con la NAND Toshiba A19 è stato ottenuto con un'unità da 240 GB, che ha beneficiato meno del parallelismo del BX200 che testiamo in questo articolo. Purtroppo le prestazioni in scrittura sequenziale native di Micron sono inferiori a quelle ottenute con molti hard disk.

Lettura sequenziale

Nonostante la memoria NAND TLC, gli SSD odierni collegati tramite interfaccia SATA raggiungono prestazioni molto elevate in lettura sequenziale che spesso sono frenate dal bus a 6 Gbps. Il BX200 da 480 GB non offre prestazioni stellari con una queue depth di uno, finendo al di sotto dei migliori modelli a basso costo. Il BX200 da 960 GB si comporta leggermente meglio. Con queue depth elevate, tutte le unità si comportano in modo simile. La maggior parte degli utenti non stressa gli SSD in quel modo, quindi i risultati con queue depth ridotte, di conseguenza, sono di maggior valore.

Scrittura sequenziale

Le basse scritture sequenziali e la memoria SLC emulata, insieme, causano alcuni problemi con i nostri test che comportano un leggero condizionamento e una buona quantità di dati sull'unità. Possiamo rendere più solidi i risultati con un condizionamento maggiore – cosa che forzerebbe gli SSD in stato di equilibrio – tuttavia ciò non rappresenterebbe l'uso preponderante degli SSD in ambito consumer.

Le ondulazioni sono indicative di algoritmi di caching deboli. Non c'è sufficiente buffer a disposizione (e non può essere liberato rapidamente) per nascondere le prestazioni native della memoria TLC di Micron. L'unità che può farlo è l'850 EVO di Samsung con la sua V-NAND. Gli appassionati avranno difficoltà a imbattersi nelle prestazioni TLC native su quell'SSD.

Lettura casuale

Il BX200 da 480 GB fornisce le prestazioni in lettura casuale più deboli con una queue depth di uno. Scala tuttavia piuttosto bene all'aumentare della coda.

Scrittura casuale

Tutte le unità TLC – eccetto l'850 EVO – offrono basse prestazioni in scrittura casuale in questa prima classifica, dove effettuiamo le misurazioni a varie queue depth.