Nonostante si parli di possibili successori da diverso tempo, la tecnologia flash continua la sua corsa senza guardare in faccia nessuno. Samsung ha annunciato lo sviluppo del primo chip a 30 nanometri con una capacità di 64 Gbit, circa quattro volte di più delle offerte attualmente in produzione.

Wafer con chip NAND flash a 30 nm

Il nuovo chip flash è composto da celle multi-livello (MLC) e ogni chip può raggiungere la capacità massima di 8 GByte. In una scheda di memoria l'integrazione di 16 di questi chip MLC permetterebbe una capacità fino a 128 GByte. Gli hard disk solid state da 1,8", utilizzando 64 di questi chip, potrebbero raggiungere i 512 GByte.

64 Gb NAND flash

L'azienda afferma che questi chip da 64 Gbit entreranno in produzione di massa nel corso del 2009. Nell'aprile scorso Samsung ha iniziato la produzione di massa dei chip SLC da 8 Gb e degli MLC da 16 Gb a 51 nanometri, raddoppiando la capacità dei chip MLC da 8 Gb prodotti con processo produttivo a 60 nanometri introdotti nell'agosto del 2006.