SK hynix ha annunciato di aver messo a punto una memoria DDR4 da 16 gigabit con processo produttivo a 1Z nanometri (ovvero nella classe dei 10 nanometri). L’azienda sudcoreana ha migliorato di circa il 27% la produttività di questo prodotto rispetto al processo di precedente generazione, noto come 1Y nm.

Il processo 1Z nm non richiede l’impiego della litografia EUV, che aumenta i costi di produzione, permettendo quindi al chip di mantenere un rapporto qualità/prezzo competitivo.

Per la DRAM a 1Z nm, SK hynix ha applicato una “nuova sostanza non usata nel processo produttivo precedente, massimizzando la capacità elettrica del chip, ossia la quantità di carica che un condensatore può conservare. È stato introdotto anche un nuovo design per aumentare la stabilità operativa”.

La nuova RAM da 16 Gbit supporta velocità di trasferimento dati di 3200 Mbps e ha un consumo ridotto del 40% paragonato ai chip di eguale densità ma prodotti a 1Ynm.

“La DRAM a 1Znm vanta l’efficienza energetica, la velocità ed la densità più alta dell’industria, il che lo rende il miglior prodotto per soddisfare la domanda in evoluzione dei clienti che ricercano DRAM ad alte prestazioni e densità”.

“SK hynix avvierà la produzione e le spedizioni in volumi nel corso del 2020 per rispondere alla domanda di mercato”, ha affermato Lee Jung Hoon, direttore della divisione 1Z TF del DRAM Development & Business. SK hynix ha intenzione di espandere la produzione a 1Z nm alle memorie LPDDR5 e le memorie HBM3.