Samsung ha avviato la produzione di massa di memoria 3D V-NAND a 3 bit, meglio nota come TLC. L'azienda asiatica ha intenzione di usarla per nuovi SSD, il che ci fa pensare che la nuova serie 850 EVO, dopo l'arrivo dei modelli 850 Pro, non sia così lontana.

Anche queste soluzioni, come i chip V-NAND a 2 bit (MLC), sono di seconda generazione: usano 32 strati di celle impilate verticalmente per creare i chip di memoria. Le prime soluzioni realizzate da Samsung nell'agosto dell'anno passato erano formate da 24 strati.

Ogni chip offre 128 gigabit di capacità (16 gigabyte). Samsung spiega che in una struttura V-NAND "ogni cella è elettricamente connessa a uno strato non conduttivo usando una tecnologia chiamata charge trap flash (CTF). Ogni insieme di celle è impilato verticalmente uno sull'altro per formare chip con miliardi di celle".

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Queste memorie "verticali" aumentano non solo le prestazioni e riducono i consumi, come abbiamo visto nella recensione degli SSD 850 Pro, ma anche le capacità produttive di Samsung. L'azienda afferma infatti che rispetto alle memorie NAND Flash a 3 bit planari le nuove soluzioni permettono una produttività per wafer più che doppia.