Novità all'orizzonte per TSMC, la famosa fabbrica di semiconduttori di Taiwan, che ha annunciato i propri programmi a breve e medio termine, vale a dire per questa seconda parte del 2015 e per l'anno successivo.

La notizia più importante è che entro la fine dell'anno sarà pronto il nuovo processo produttivo a 16 nm di tipo FinFET (che TSMC chiama 16FF+), una soluzione tridimensionale in cui i transistor si sviluppano in altezza, consentendo di disperdere meno energia durante lo stato di off e di diminuire l'impronta del chip, che non sviluppandosi più solo in piano è più compatto e quindi con piste interne molto più brevi: il tutto si risolve in due vantaggi principali, prestazioni maggiori e consumi ridotti.

Per quanto riguarda il 2016 invece TSMC ha in programma di triplicare la propria capacità produttiva entro la fine dell'anno rispetto allo stesso periodo del precedente ed introdurrà anche una variante più compatta di 16FF+, chiamata 16FFc, che consentirà consumi ancora più contenuti e sarà dunque indicata soprattutto per dispositivi dove l'autonomia e il risparmio energetico sono prioritari rispetto alle prestazioni, ad esempio nel nascente settore dell'Internet delle Cose.

La situazione riguardo ai processi produttivi è in realtà un po' complessa all'interno dello scenario mondiale. A parte infatti Intel, che è il maggior chimaker mondiale e l'unico ad utilizzare già oggi un sistema litografico a 14 nm chiamato Tri-Gate 3D, più avanzato del FinFET, che però opera unicamente nel settore delle architetture x86, attualmente minoritarie in ambito mobile, la situazione si presenta piuttosto frammentaria anche per ARM.

In questo contesto le fabbriche più avanzate sono di proprietà di Samsung, che attualmente utilizza già un processo produttivo sempre di tipo FinFET ma a 14 nm, mentre tutti gli altri sono fermi a 20 nm e, come sappiamo, sta già lavorando per scendere a 10 nm entro la fine del 2016, mossa che le consentirà dunque di mantenere la leadership del settore e inalterato anche il vantaggio su TSMC, che per allora appunto approderà appunto a 16 nm, 6 nm in più rispetto a Samsung, vale a dire lo stesso distacco attuale, da 14 a 20 nm.

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