Samsung ha iniziato la produzione di massa di memoria LPDDR3 da 2GB (Low Power DDR), con processo produttivo a 30 nanometri, per dispositivi mobile di prossima generazione. L'avvio della produzione di questo tipo di memoria prende il via solamente 10 mesi dopo quella dei primi campioni di LPDDR2 da 2GB, iniziata nell'ottobre 2011.

Per realizzare la LPDDR3 da 2 GB, Samsung ha usato quattro chip impilati uno sopra l'altro. Questa memoria può trasferire dati fino a 1600 megabit al secondo (Mbps) per pin (1600 MHz) , cioè è all'incirca il 50% più veloce della precedente LPDDR2.

A livello di package offre una velocità nella trasmissione dati fino a 12,8 GB/s che, secondo la casa sudcoreana, permetterà di "riprodurre contenuti Full HD in tempo reale su smartphone e tablet". Secondo Samsung il nuovo chip consuma il 20 percento in meno rispetto alle soluzioni analoghe sinora realizzate.

Il nuovo tipo di memoria dovrebbe gettare le basi per la diffusione, a partire dal 2013, di un sempre più cospicuo numero di prodotti dotati di 2 GB di memoria RAM. Oggi solo pochi terminali possono vantare una quantità così elevata di memoria RAM, e tra questi troviamo ad esempio il Galaxy Note II e l'Optimus LTE2.

eMMC da 128 GB a 20 nanometri

Parallelamente l'azienda sudcoreana ha annunciato l'avvio della produzione di massa anche di una eMCC da 128 GB (20 nanometri), capace di raggiungere una velocità di trasferimento dati sino a 140 MB/s e perfettamente compatibile con le specifiche JEDEC eMMC v4.5.

Chissà se la nuova memoria e la più capiente e veloce eMMC saranno pronti per il prossimo Galaxy S IV, che indiscrezioni (bollate come false da Samsung) danno in arrivo nel primo trimestre del prossimo anno, con presentazione al Mobile World Congress di Barcellona.